特許
J-GLOBAL ID：200903073928535587

MRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法および構造

発明者：
クルト,ホフマン

クルト,ホフマン について

, 
オスカー,コヴァリーク

オスカー,コヴァリーク について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225140
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134709
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 所要スペースが小さく、読み取りプロセスごとに時間を費やさない、MRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取り方法を提供する。【解決手段】 本発明では、電圧領域(U1)では、メモリーセルの抵抗RA・RPは、メモリーセル内容に影響されないが、別の電圧領域(U2)では、同抵抗RA・RPは、セル内容に応じて変化する。これにより、相異なるメモリーセルの内容を相互に比較するために、セル内容によらない抵抗RA・RP(U1)によって、セル内容に影響される抵抗RA・RP(U2)を正規化できる。その結果、特定のメモリーセルの正規化された読出信号を、「0」または「1」で記述される基準セルの正規化された基準信号と比較し、そして、それにより、「1」または「0」としてのメモリーセル内容を検知することも可能である。
請求項（抜粋）：
MRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法において、(a)メモリーセルの抵抗値がメモリーセルのセル内容により影響を受けない電圧においてメモリーセルの正規抵抗値Rnormを決定する工程と、(b)メモリーセルの抵抗値がメモリーセルのセル内容により影響を受ける電圧においてメモリーセルの実際の抵抗値R(0)ないしはR(1)を決定する工程と、(c)Rnorm(0)=R(0)/Rnorm、ないしはRnorm(1)=R(1)/Rnormの形成による正規抵抗値を用いて実際の抵抗値を正規化する工程と、(d)Rnorm(0)ないしはRnorm(1)を基準値と比較する工程と、(e)比較結果に応じて0または1としてのメモリーセル内容を検知する工程とを含むことを特徴とするMRAMメモリーのメモリーセルの非破壊読み取りのための方法。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  G01R 31/28 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 31/28 B
Fターム (7件)：
2G132AA08 ,  2G132AC03 ,  2G132AL09 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 磁気抵抗素子と磁気ヘッド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-172062   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
  • 磁気的メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-327740   出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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