特許
J-GLOBAL ID：200903073931611987
バンプ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020950
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218044
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 アルミニウム電極上の金属膜形成プロセスが不要で、ばらつきが少なく、必要十分なはんだ量で形成できるバンプ形成方法を提供する。【構成】 半導体素子1に金バンプ2を形成する工程と、半導体素子1の金バンプ2の位置に対応する、はんだの濡れない基板3上の所定位置にクリームはんだ6を形成する工程と、基板3上のクリームはんだ6と半導体素子1の金バンプ2を位置合わせする工程と、位置合わせした状態で、リフローによりクリームはんだ6と金バンプ2とを溶融接続する工程と、半導体素子1を基板3より取り外す工程とを備えた。
請求項（抜粋）：
半導体素子に金バンプを形成する工程と、前記半導体素子の前記金バンプの位置に対応する、はんだの濡れない基板上の所定位置にクリームはんだを形成する工程と、前記基板上の前記クリームはんだと前記半導体素子の前記金バンプとを位置合わせする工程と、位置合わせした状態でリフローにより前記クリームはんだと前記金バンプとを溶融接続する工程と、前記半導体素子を前記基板より取り外す工程とを備えたバンプ形成方法。
引用特許：
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