特許

J-GLOBAL ID：200903073943351530

半導体増幅回路

発明者： 井上 晃 ,  後藤 清毅
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246527
公開番号（公開出願番号）：特開平11-088065
出願日： 1997年09月11日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 高周波増幅回路に用いられるFETの歩留まりに関係なく、ゲート耐圧が高く、かつ、低歪な特性を有する半導体増幅回路を提供すること。【解決手段】 電力増幅用のFET1のゲート入力部に、高周波入力信号の波形を、増幅用のFET1のゲート耐圧よりも低い位置で、その負側で一定値以下に振れ込まないように制御する。

請求項（抜粋）：

高周波を受け、これを増幅して出力する半導体増幅回路において、上記高周波を受けるトランジスタと、上記トランジスタの入力部に接続され、高周波波形の負側を、上記トランジスタのゲート耐圧よりも低く、かつ所定の値以下とならないように制御する波形制御手段を備えたことを特徴とする半導体増幅回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-013107
  
• 特開昭62-013107
  
• 半導体電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-271154   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-013107