半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311266
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153280
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】ブロックライト動作の高速化をはかる。【解決手段】セグメントアドレス選択信号(SASj)及びブロックライト信号BWがアクティブレベルのとき列アドレス信号(ADCd+ADCu)で指定されたスタートアドレスからストップアドレスまでの列アドレス信号(CSi)を全て選択レベルとする列アドレス選択回路1を設ける。ブロックライト信号BWがアクティブレベルのとき上位側列アドレス信号ADCuで指定されたスタートアドレスからストップアドレスまでのセグメントアドレス信号(SASj)を全て選択レベルとし列アドレス選択回路1に供給するセグメントアドレス選択回路2を設ける。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを行方向,列方向にマトリクス状に配置したメモリセルアレイの所定の複数のメモリセル列それぞれの所定のメモリセルに同一のデータを書込むブロックライトモードを備えた半導体記憶装置であって、前記ブロックライトモード時、スタートアドレスと対応するメモリセル列からストップアドレスと対応するメモリセル列までの全てのメモリセル列を同時に選択してこれら選択したメモリセル列それぞれの所定のメモリセルに同一のデータを書込むようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 , G11C 7/00 312

FI (2件)：

G11C 11/34 371 H , G11C 7/00 312 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体メモリ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-359815 出願人：日本電気株式会社
特開平3-073489

前のページに戻る