特許

J-GLOBAL ID：200903073965881347

接合型電界効果トランジスタ、接合型高電子移動度電界効果トランジスタ及びこれらの製造方法

発明者： 野本 和生
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-167481
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347638
出願日： 2004年06月04日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 接合型電界効果トランジスタにおいて、チャネル長、閾値電圧等の特性安定化、製造の簡易化を図る。【解決手段】 接合型ゲート領域34が、C(炭素)のイオン注入領域によって形成し、その拡散係数が小さいことを利用して、チャネル長、閾値電圧等の特性安定化を図り、また、その製造において、ソース及びドレインの低抵抗領域33S及び33Dの不純物の活性化処理を同時に行うことを可能にして製造の簡易化をはかることができるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体上に少なくともチャネル形成領域と、接合型ゲート領域とを有する接合型電界効果トランジスタであって、 上記接合型ゲート領域が、C(炭素)イオンによる不純物イオン注入領域によって形成されて成ることを特徴とする接合型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L21/337 ,  H01L29/808

FI (1件)：

H01L29/80 C

Fターム (21件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271459   出願人：ソニー株式会社