特許
J-GLOBAL ID：200903073985930530
半導体ウエハ表面の不純物測定方法及びそのための不純物回収装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
成瀬 勝夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001441
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196432
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 気相分解法を用いた原子吸光分析による半導体ウエハ表面の不純物測定において、より正確な不純物分析を行うことができる半導体ウエハ表面の不純物測定方法及び装置を提供する。【解決手段】 フッ化水素酸を含む酸蒸気によりウエハ表面の酸化膜又は窒化膜を分解する気相分解工程と、分解反応で生成した生成物を液滴中に取り込む液滴走査工程と、得られた生成物含有液滴をウエハ表面の所定位置に位置せしめて乾燥せしめる液滴乾燥工程と、残留した残渣を溶解液に溶解してフッ化水素酸濃度1重量%以下の分析試料を調製する工程と、分析試料について原子吸光分析により不純物分析を行う不純物分析工程とを有する。
請求項（抜粋）：
気相分解装置内でフッ化水素酸を含む酸蒸気によりシリコンウエハのウエハ表面の酸化膜又は窒化膜を分解する気相分解工程と、上記気相分解工程の分解反応で生成した生成物を回収する回収液からなる液滴でウエハ表面を走査し、この液滴中に生成物を取り込む液滴走査工程と、この液滴走査工程で得られた生成物含有液滴をウエハ表面の所定位置に位置せしめ、この生成物含有液滴中の液体を蒸発せしめる液滴乾燥工程と、上記液滴乾燥工程で残留した残渣を有するシリコンウエハを気相分解装置内に収容し、ウエハ表面に新たに生成した酸化膜をフッ化水素酸を含む酸蒸気により分解する第二の気相分解工程と、溶解液からなる液滴でウエハ表面を走査し、この液滴中に上記第二の気相分解工程で生成した生成物と上記液滴乾燥工程で残留した残渣とを溶解して取り込み、分析試料としてフッ化水素酸及び珪フッ化水素酸の濃度がそれぞれ1重量%以下の第二の生成物含有液滴を回収する第二の液滴走査工程と、この第二の液滴走査工程で分析試料として回収された第二の生成物含有液滴について、原子吸光分析により不純物分析を行う不純物分析工程とを有することを特徴とする半導体ウエハ表面の不純物測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 1/28
, G01N 21/31 610
, G01N 33/00
H01L 21/66 L
, G01N 21/31 610 A
, G01N 33/00 A
, G01N 1/28 X
2G059AA01
, 2G059BB08
, 2G059BB16
, 2G059CC02
, 2G059DD03
, 2G059DD12
, 2G059DD16
, 2G059FF06
, 2G059KK10
, 4M106AA01
, 4M106AA12
, 4M106CA29
, 4M106DH01
, 4M106DJ03
