特許
J-GLOBAL ID：200903074031692325
不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351138
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189780
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】データ保持寿命が任意に設定された不揮発性半導体メモリ装置およびこの製造方法を提供する。【解決手段】チャネルが形成される半導体層と、この半導体層に接して設けられた第1の絶縁膜層6と、第1の絶縁膜層に積層された第2および第3の絶縁膜層8、10と、第3の絶縁膜層10に接して設けられたゲート電極12とを有し、第1、第2および第3の絶縁膜層6、8、10の各界面領域への電荷の蓄積量に応じた値のデータの記憶を行う不揮発性半導体メモリ装置であって、データの保持寿命に応じた原子の構成比をもって第2の絶縁膜層8が形成されているものとした。
請求項（抜粋）：
チャネルが形成される半導体層と、前記半導体層上に形成された第1の絶縁膜層と、前記第1の絶縁膜層に積層された第2および第3の絶縁膜層と、前記第3の絶縁膜層に接して設けられたゲート電極とを有し、前記第1、第2および第3の絶縁膜層への電荷の蓄積量に応じた値のデータの記憶を行う不揮発性半導体メモリ装置であって、前記データの保持寿命に応じた原子の構成比をもって前記第2の絶縁膜層が形成されている不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/04
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 621 Z
, H01L 27/10 434
