半導体レーザ及び半導体光集積素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-229425
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064837
出願日： 2007年09月04日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】半導体レーザにおいて、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるようにする。【解決手段】半導体レーザを、半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、位相シフトを有し、光導波路の全長にわたって光導波路に沿って設けられる回折格子とを備えるものとし、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、位相シフトを有し、前記光導波路の全長にわたって前記光導波路に沿って設けられる回折格子とを備え、前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、前記位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成されていることを特徴とする、半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S 5/12

FI (1件)：

H01S5/12

Fターム (14件)：

5F173AB14 , 5F173AB15 , 5F173AB16 , 5F173AB17 , 5F173AB23 , 5F173AB24 , 5F173AB62 , 5F173AB64 , 5F173AD12 , 5F173AD30 , 5F173AH14 , 5F173AR04 , 5F173AR06 , 5F173AR23

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-330793号公報
特許第2687526号公報

審査官引用 (7件)

特開平4-100287
特開平4-100287
特開昭63-299390

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