特許
J-GLOBAL ID:200903074059610111
多孔性配位不飽和金属錯体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
植木 久一
, 小谷 悦司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-134160
公開番号(公開出願番号):特開2004-285315
出願日: 2003年05月13日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
【課題】低分子のみならず一般的な化合物も反応基質として取り込むことができ、且つ触媒活性または分子保持機能の高い多孔性配位不飽和金属錯体を提供する。また、本発明は、上記のような作用効果を享有する当該錯体の製造方法、当該錯体の触媒としての使用方法、並びに多孔性配位不飽和金属錯体を構成するための金属錯体ユニットおよび有機配位子を提供するものである。【解決手段】本発明の多孔性配位不飽和金属錯体は、金属および有機配位子で構成された金属錯体ユニットが架橋金属を介して連結されたものであり、該連結によって一次元または三次元の空孔が形成されており、該空孔の孔径が10Å以上であり、且つ該金属錯体ユニット中の金属が配位不飽和状態にあるものである。
請求項(抜粋):
金属および有機配位子で構成された金属錯体ユニットが架橋金属を介して連結されたものであり、
該連結によって空孔が形成されており、
該空孔の孔径が10Å以上であり、且つ
該金属錯体ユニット中の金属が配位不飽和状態にあることを特徴とする多孔性配位不飽和金属錯体。
IPC (4件):
C08G79/00
, B01J31/22
, C07C251/24
, C07C255/61
FI (4件):
C08G79/00
, B01J31/22 Z
, C07C251/24
, C07C255/61
Fターム (36件):
4G069AA02
, 4G069AA08
, 4G069BA27A
, 4G069BA27B
, 4G069BC67B
, 4G069BE15B
, 4G069BE16B
, 4G069BE37B
, 4G069CB19
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB82
, 4H039CA62
, 4H039CC50
, 4H048AA01
, 4H048AA02
, 4H048AA03
, 4H048AB40
, 4H048VA20
, 4H048VA30
, 4H048VA56
, 4H048VB10
, 4H050AA01
, 4H050AA02
, 4H050AA03
, 4H050AB40
, 4H050WB13
, 4J030CA02
, 4J030CB02
, 4J030CB04
, 4J030CB07
, 4J030CB21
, 4J030CC02
, 4J030CC23
, 4J030CC30
, 4J030CG07
引用文献:
審査官引用 (1件)
-
Journal of the Chinese Chemical Society, 1998, Vol.45,No.5, p.611-617
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