特許

J-GLOBAL ID：200903074074702154

半導体レーザ装置

発明者： 田中 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-066992
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259851
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 共振器長が伸長しても、レーザ光の出力特性の悪化を防ぎ、長寿命化が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子11と、半導体レーザ素子11の共振器伸長方向寸法と同程度の長さと、半導体レーザ素子11を搭載できる幅とを有する第1主面と、この第1主面と相対向する第2主面と、長さ方向に垂直且つ幅方向に平行で、幅方向両端部が開放且つ第2主面上に開放された複数の溝15とを有するサブマウント14と、サブマウント14を搭載する搭載面を有するヒートブロック17とを備えて、半導体レーザ素子11の共振器伸長方向とサブマウント14の長さ方向が合わされて、半導体レーザ素子11とサブマウント14の第1主面とは接合材を介して固定され、サブマウント14の第2主面とヒートブロック17の搭載面とは接合材を介して固定されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、 前記半導体レーザ素子の共振器伸長方向寸法と同程度の長さと、前記半導体レーザ素子を搭載できる幅とを有する第1主面と、前記第1主面と相対向する第2主面と、前記長さ方向に垂直且つ前記幅方向に平行で、前記幅方向両端部が開放且つ前記第2主面上に開放された複数の溝とを有するサブマウントと、 前記サブマウントを搭載する搭載面を有するヒートブロックと、 を備えて、前記半導体レーザ素子の共振器伸長方向と前記サブマウントの長さ方向が合わされて、前記半導体レーザ素子と前記サブマウントの第1主面とは接合材を介して固定され、前記サブマウントの第2主面と前記ヒートブロックの搭載面とは接合材を介して固定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S5/022 ,  G11B7/125

FI (2件)：

H01S5/022 ,  G11B7/125 A

Fターム (11件)：

5D789AA33 ,  5D789AA42 ,  5D789FA05 ,  5D789FA16 ,  5D789FA32 ,  5D789FA35 ,  5F173MA05 ,  5F173MC04 ,  5F173MC13 ,  5F173MD18 ,  5F173ME62

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-181068   出願人：株式会社東芝