特許
J-GLOBAL ID：200903062987874407
半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181068
公開番号（公開出願番号）：特開2000-011417
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 多波長型の高性能なる半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置を提供する。【解決手段】 発振波長が異なる屈折率ガイド型の半導体レーザのそれぞれについてダブル横モード制御、電流狭窄およ埋め込み加工を一括して行うことによりリソグラフィ等の工程数が少なく、素子表面が平坦で放熱性が良好な半導体レーザアレイを実現できる。また、このような多波長型のレーザアレイとホログラム素子と検出用PDとを所定の位置関係に配置することにより、光ディスクからの戻り光を一箇所に集めて1チップ上のPDで検出することができるようになり、飛躍的に小型・軽量で高信頼性を有する光ディスク駆動装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板と、前記基板上に設けられ第1の波長のレーザ光を放出する第1のレーザ素子部と、前記基板上に設けられ前記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を前記第1の波長のレーザ光と略平行な方向に放出する第2のレーザ素子部と、を備え、前記第1のレーザ素子部は、InGaAlP第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたInGaAlP第2クラッド層とを有し、前記第2のレーザ素子部は、InGaAlP第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたInGaAlP第2クラッド層とを有し、前記第1のレーザ素子部の前記第2クラッド層の層厚と、前記第2のレーザ素子部の前記第2クラッド層の層厚とは、略同一であるものとして構成されていることを特徴とする半導体レーザアレイ。
Fターム (18件)：
5D119AA01
, 5D119AA04
, 5D119AA36
, 5D119AA38
, 5D119BA01
, 5D119BB02
, 5D119BB03
, 5D119CA10
, 5D119CA11
, 5D119DA01
, 5D119DA05
, 5D119FA05
, 5D119FA09
, 5D119FA17
, 5D119FA25
, 5D119NA01
, 5D119NA04
, 5D119NA08
