特許

J-GLOBAL ID：200903074079536970

露光・エッチング処理による部分エッチング方法

発明者： ジェフレイ アール.パスコ
出願人/特許権者： ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113158
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191004
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 基板上に残留厚さの異なる少なくとも2つの領域を形成する単一工程の露光・エッチング処理による部分エッチング方法を提供すること。【解決手段】 レジストマスク12を基板14の選択された部分に塗布し、複数の第1マスク開口16と第1マスクランド部10を備える第1マスク領域が、減じられたエッチファクタを有する臨界エッチ空間となるように、マスクでパターン化され、さらに少なくとも1つの第2マスク開口を有する第2マスク領域をマスクでパターン化する。第2マスク開口の端部間の平均間隔は、エッチファクタが減少し始めるレジストマスクの端部間の間隔となる臨界エッチ空間よりも大きく、基板が、第1,第2マスク領域を通して所定の時間、等方性エッチングされるとき、第1マスク領域のエッチ除去率は、第2マスク領域のエッチ除去率より小さい。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも2つの異なる厚さの領域を形成するための単一工程の露光・エッチング処理による部分エッチング方法であって、レジストマスクを前記基板の選択された部分に塗布し、複数の第1マスク開口と第1マスクランド部を交互に含み、第1の所定の平面寸法及び形状を有する第1のマスク領域をパターン化し、複数の第2マスク開口と第2マスクランド部を含み、第2の平面寸法及び形状を有する領域を形成するために第2のマスク領域をパターン化して、マスクランド部の幅とランド部間の間隔が臨界エッチ空間を形成するために選択され、第2領域のためのエッチファクタが第1領域のエッチファクタよりも減少されるようにしており、第1,第2のマスク領域が同一時間内でエッチングされる場合に、第2のマスク領域で除去される物質の量が、第1のマスク領域の量よりも少なくなるように、第1,第2のマスク領域を介して基板を等方性エッチングすることを特徴とする部分エッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 1/02 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 21/21

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 1/02 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 21/21 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-207425   出願人：三菱電機株式会社
• 特許第5313355号
  
• 特許第3931641号