特許
J-GLOBAL ID：200903074090872655
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045759
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241886
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】特に大面積の半導体等の加工膜を有する基板を実用的速度で高精度に所望パターンを形成することができる基板のプラズマ処理方法を提供する。 【構成】500〜1000Torrの圧力のもと、活性ガス雰囲気下、又は活性ガスと不活性ガスとの雰囲気下において、少なくとも一方の電極の表面に誘電体を配設した平行平板型又は/及び棒状電極型の間に周波数50Hz〜20MHzの電圧を印加してプラズマを発生せしめ、前記電極間に位置せしめた基板をエッチングまたはアッシング処理する基板のプラズマ処理方法である。
請求項（抜粋）：
500〜1000Torrの圧力のもと、活性ガス雰囲気下、又は活性ガスと不活性ガスとの雰囲気下において、少なくとも一方の電極の表面に誘電体を配設した平行平板型又は/及び棒状電極型の間に周波数50Hz〜20MHzの交流電流を供給してプラズマを発生せしめ、前記電極間に位置せしめた基板をエッチングまたはアッシング処理する基板のプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05K 3/26
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 E
, H05K 3/26
, H01L 21/302 H
