特許
J-GLOBAL ID：200903074097725372
直接書き込み式ナノリソグラフィーによるナノスケールチップからの核酸の沈着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
清水 初志
, 橋本 一憲
, 新見 浩一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-549493
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512032
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
導電性物質と絶縁性物質を備える、異なる基板に固定されたナノスケールの核酸パターンを作成するための直接書き込み式ナノリソグラフィーの使用を記載する。チオール基などの反応性基でオリゴヌクレオチドを含む核酸を修飾すると、適当な条件下において適当な走査型プローブ顕微鏡チップを使用したパターニングが提供される。反応性基は、基板表面への化学吸着または共有結合を提供する。すぐれた安定性を示す得られた核酸は相補的な核酸とハイブリダイゼーションすることができ、従って例えば、核酸で官能基化したナノ粒子を使用することによってプロービングされうる。パターニングは、チップ処理、相対湿度、および核酸構造の選択によって制御することができる。
請求項（抜粋）：
チップと基板が互いに接近するように少なくとも1つのナノスケールチップを基板に対して位置づける段階を含み、核酸がチップから基板に移動されて、相補的な核酸にハイブリダイゼーションすることができる安定な核酸ナノスケールパターンを基板に作製する、直接書込みナノリソグラフィーによって基板に核酸を沈着する方法。
IPC (7件)：
G01N33/53
, C12M1/00
, C12N15/09
, C12Q1/68
, G01N13/10
, G01N13/16
, G01N37/00
G01N33/53 M
, C12M1/00 A
, C12Q1/68 A
, G01N13/10 A
, G01N13/16 A
, G01N37/00 102
, C12N15/00 F
4B024AA11
, 4B024AA20
, 4B024CA01
, 4B024CA09
, 4B024HA11
, 4B029AA07
, 4B029BB20
, 4B029CC03
, 4B029FA15
, 4B063QA01
, 4B063QA18
, 4B063QQ42
, 4B063QQ52
, 4B063QR55
, 4B063QR82
, 4B063QS34
, 4B063QS36
, 4B063QX02
