特許
J-GLOBAL ID：200903074105580435
発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267370
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116192
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、発光層上に積層形成される層の屈折率を最適化して界面反射損を減少させ、光出力を向上させることを課題とする。【解決手段】 この発明は、発光層6上に積層形成されたクラッド層7における発光波長に対する屈折率は、クラッド層7の下部から上部へ連続的に減少してなり、クラッド層7の上にシリコン窒化薄膜8が積層形成され、シリコン窒化薄膜8上にポリイミド系薄膜9が積層形成され、ポリイミド系薄膜9上にエポキシ樹脂12が形成され、クラッド層7の上部における発光波長に対する屈折率をn1、シリコン窒化薄膜8の発光波長に対する屈折率をn2 、ポリイミド系薄膜9の発光波長に対する屈折率をn3 、エポキシ樹脂12の発光波長に対する屈折率をn4 とすると、屈折率はn1 >n2 >n3 >n4 に設定されて構成される。
請求項（抜粋）：
発光層を含む化合物半導体層が積層形成されたペレットが封止材により封止されてなる発光ダイオードにおいて、前記化合物半導体層の一方のクラッド層における発光波長に対する屈折率は、前記クラッド層の下部から上部へ連続的に減少してなることを特徴とする発光ダイオード。
引用特許：
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