特許
J-GLOBAL ID:200903074117453765

半導体素子のバンプ形成用ワイヤ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 早川 政名
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-345826
公開番号(公開出願番号):特開平6-196485
出願日: 1992年12月25日
公開日(公表日): 1994年07月15日
要約:
【要約】【目的】 ワイヤ表面の酸化を阻止して保管による脆弱化を防ぐと共に、バンプ形成に際してキャピラリ詰まりやクランパ汚れが発生せず、連続して安定的にバンプ形成作業ができる合金ワイヤを提供する。【構成】 Pb,Sn,Inの何れか1つを主要元素として作製された細い合金ワイヤの表面に、潤滑剤を塗布して平均膜厚が3〜30オングストロームである被膜を形成する。潤滑剤にはワイヤの先端にボールを加熱成形する際の熱で完全に分解若しくは蒸発する有機系のもの、詳しくは、パラフィン系炭化水素等の鉱油系、ポリオレフィン,脂肪酸,ポリグリコール,ポリオールエステル,スルフォン酸塩,脂肪酸アミド,脂肪酸エステル,アミン,シリコーン,燐酸エステル,フルオロカーボン等の合成油系、牛脂,パーム油,菜種油等の天然油脂系があげられる。
請求項(抜粋):
Pb,Sn,Inの何れか1つを主要元素として作製された細い合金ワイヤの表面に、潤滑剤を塗布して被膜を形成せしめてなることを特徴とする半導体素子のバンプ形成用ワイヤ。
FI (2件):
H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭63-301535
  • 特開平2-094534
  • 特開昭62-216347
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