半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019066
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235231
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】オン抵抗の低減を図りつつ、スイッチングロスの低減を図ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面には、N-エピタキシャル層2が形成されており、N-エピタキシャル層2の上には、拡散領域30が形成されている。拡散領域30を貫通してN-エピタキシャル層2の厚さ方向途中に至るトレンチ17が形成されている。トレンチ17の内部には、ゲート電極26および導電層40が配置されている。ゲート電極26は、トレンチ17内において導電層40より浅い部分に設けられている。トレンチ17の内側壁に沿う領域には、ゲート酸化膜13が形成されている。導電層40の周囲は、酸化層15により覆われている。拡散領域30は、トレンチ17縁部に形成されたN+ソース領域25とゲート電極26に対向するチャネル領域4とを含んでいる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部に形成された第1導電型のチャネル領域と、このチャネル領域を貫通して形成されたトレンチの縁部に形成された上記第1導電型とは異なる第2導電型のソース領域と、上記トレンチの底部と隣接する領域に形成された上記第2導電型のドレイン領域と、上記トレンチの内側壁に沿って形成されたゲート絶縁膜と、上記トレンチ内において、上記ゲート絶縁膜を挟んで上記チャネル領域に対向するように配置されたゲート電極と、上記トレンチ内において、上記ゲート電極より上記ドレイン領域側に形成された導電層と、上記導電層の周囲を覆い、上記導電層と上記ゲート電極および上記ドレイン領域との間を電気的に絶縁する絶縁層とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (2件)：

H01L29/78 652Z , H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-229662
改良された高周波スイッチング特性と降伏特性を備えたパワー半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-578852 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
トレンチ底部に厚いポリシリコン絶縁層を有するトレンチゲート型MISデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-172348 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

改良された高周波スイッチング特性と降伏特性を備えたパワー半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-578852 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
特開平4-229662
特開平4-229662

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