特許
J-GLOBAL ID:200903074151028925

固体撮像素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-088320
公開番号(公開出願番号):特開平10-284709
出願日: 1997年04月07日
公開日(公表日): 1998年10月23日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板のセンサ側の表面に水素透過性の低い反射防止膜を形成する固体撮像素子において、水素アロイの効果が損なわれず、感度が高い固体撮像素子を実現する。【解決手段】 フォトダイオード15が形成された、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を介して中間屈折率膜が形成され、さらに中間屈折率膜の表面にシリコン酸化膜が形成されている。中間屈折率膜はシリコン基板とシリコン酸化膜との中間の屈折率を有する。中間屈折率膜の表面に形成したシリコン酸化膜の表面における、フォトダイオード15に対応する部分を除く部分に、ゲート電極渡し部17によりつなげられるゲート電極6が形成されている。中間屈折率膜の、ゲート電極渡し部17が重なった部分には、水素アロイ用穴18が形成されている。中間屈折率膜に形成された水素アロイ用穴18が、水素アロイ時の水素が透過する穴となり、水素アロイの効果が充分に得られる。
請求項(抜粋):
光が入射する側となる表面にセンサ部が存在する半導体基板と、該半導体基板の入射側の表面全体に絶縁膜を介してまたは直接形成された、水素透過性が低い中間屈折率膜と、該中間屈折率膜の入射側の表面に形成された水素透過可能な薄膜とを含み、前記中間屈折率膜は前記半導体基板と前記薄膜との略中間の屈折率を有している固体撮像素子において、前記中間屈折率膜には、穴が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (2件):
H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 固体撮像素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-287679   出願人:日本電気株式会社
  • 特開平4-152674
  • 固体撮像装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-026659   出願人:日本電気株式会社

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