フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295012
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201219
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 160nm以下の短波長光源、特にフッ素レーザー光に対して透明性が優れるフォトレジスト用高分子化合物を提供する。【解決手段】以下に示す一般式(1)、(2A)、(2B)又は(2C)で表わされる骨格の少なくとも一種を有するフォトレジスト用高分子化合物である。【化1】(Rは脂環式骨格であり、Rx1の少なくとも1つは電子吸引性基であり、残りは同一でも異なっていてもよく、水素原子又は一価の有機基である。Rはヘテロ原子を含んでいてもよく、R及びRx1は互いに環を形成していてもよい。Rx1の少なくとも1つは電子吸引性基であり、残りは同一でも異なっていてもよく、水素原子又は一価の有機基である。R2は同一でも異なっていてもよく、水素原子又は一価の有機基である。nは2〜25の整数であり、R2を構成する炭素及びR2の結合している炭素から選ばれる少なくとも2つの炭素が結合し、縮環構造となっていてもよい。)

請求項（抜粋）：

以下に示す一般式(1)、一般式(2A)、一般式(2B)または一般式(2C)で表わされる骨格の少なくとも一種を有する高分子化合物であることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物。【化1】(上記一般式(1)中、Rは脂環式骨格であり、Rx1の少なくとも1つは電子吸引性基であり、残りは同一でも異なっていてもよく、水素原子または一価の有機基である。ただし、Rはヘテロ原子を含んでいてもよく、RおよびRx1は、互いに環を形成していてもよい。)【化2】(上記一般式中、Rx1の少なくとも1つは電子吸引性基であり、残りは同一でも異なっていてもよく、水素原子または一価の有機基である。R2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子または一価の有機基である。nは2ないし25の整数であり、R2を構成する炭素及びR2の結合している炭素から選ばれる少なくとも2つの炭素が結合し、縮環構造となっていてもよい。)

IPC (7件)：

C08F 16/00 , C08F 24/00 , C08F 28/00 , C08F 32/00 , C08F 34/02 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (7件)：

C08F 16/00 , C08F 24/00 , C08F 28/00 , C08F 32/00 , C08F 34/02 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (57件)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 4J100AD07P , 4J100AD07Q , 4J100AE38P , 4J100AE38Q , 4J100AE50P , 4J100AE50Q , 4J100AK32Q , 4J100AM02Q , 4J100AQ01P , 4J100AQ01Q , 4J100AR21P , 4J100AR21Q , 4J100AR32P , 4J100AR32Q , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA09P , 4J100BA09Q , 4J100BA10P , 4J100BA10Q , 4J100BA40P , 4J100BA40Q , 4J100BA54P , 4J100BA54Q , 4J100BB01P , 4J100BB01Q , 4J100BB03P , 4J100BB03Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100CA01 , 4J100CA03 , 4J100DA62 , 4J100HA51 , 4J100HB42 , 4J100HC54 , 4J100HC55 , 4J100HE22 , 4J100JA37 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-173190 出願人：旭硝子株式会社

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