特許

J-GLOBAL ID：200903074166400405

基板温度データの演算方法および気相成長装置

発明者： 矢田 修平
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-030335
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223181
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】気相成長装置において、膜厚分布や格子結晶等、均一な高品質の結晶を成長させるための成長温度の制御のために、各基板表面の温度状態を正確に把握する。【解決手段】反応炉内の回転式サセプタ上に複数の基板を設置して各基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、連続して測定された温度データに対し、回転式サセプタの回転数および基板設置位置から算出される基板位相を用いて演算を行い、各基板の温度のみ抽出する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応炉内の回転式サセプタ上に複数の基板を設置して、各基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、 連続して測定された温度データに対し、前記回転式サセプタの回転数および基板設置位置から算出される基板位相を用いて演算を行い、各基板の温度のみ抽出することを特徴とする基板温度データの演算方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077DA01 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EH06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08 ,  4G077SC05 ,  4G077TA04 ,  4G077TJ03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA25 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA14 ,  4K030JA10 ,  4K030KA36 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045DP15 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板の温度測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239421   出願人：株式会社ジャパンエナジー