特許
J-GLOBAL ID：200903074183827404
半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307000
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160784
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】 高速応答性のサブバンド間遷移を利用して振動子強度を高めることのできる半導体デバイスを提供する。【構成】 量子井戸層に形成されるサブバンドレベルのうち、第二サブバンドレベル以上にキャリアが蓄積されるに程度にまで、量子井戸層および障壁層の少なくとも一方に不純物が高濃度に添加されている。
請求項（抜粋）：
量子井戸層と障壁層とを有する半導体デバイスにおいて、前記量子井戸層に形成されるサブバンドレベルのうち、第二サブバンドレベル以上にキャリアが蓄積される程度にまで、前記量子井戸層および前記障壁層の少なくとも一方に不純物が高純度に添加されている超格子構造を有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
G02F 1/015 505
, G02F 1/35
