特許

J-GLOBAL ID：200903074193857050

金属層用化学・機械研磨スラリー

発明者： デビッド ジェイ.フラック ,  チェング - フング フング ,  マイクル エイ.ルカレリ ,  マシュー ネビル ,  デボラ リン シャーバー
出願人/特許権者： キャボット コーポレイション
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258875
公開番号（公開出願番号）：特開平8-197414
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1996年08月06日
要約：

【要約】【課題】 金属層用化学・機械研磨スラリーを提供すること。【解決手段】 水性媒質中に均一に分散した、約40m2 /g〜約430m2 /gの範囲の表面積と、約1.0μ未満の凝集体サイズ分布と、約0.4μ未満の平均凝集体直径と、粒子間のファンデルワールス力に反発し、これを克服するために充分な力とを有する、高純度の金属酸化物微粒子を含み、コロイド的に安定である金属層用化学・機械研磨スラリー。

請求項（抜粋）：

水性媒質中に均一に分散した、約40m2 /g〜約430m2 /gの範囲の表面積と、約1.0μ未満の凝集体サイズ分布と、約0.4μ未満の平均凝集体直径と、粒子間のファンデルワールス力に反発し、これを克服するために充分な力とを有する、高純度の金属酸化物微粒子を含み、コロイド的に安定である金属層用化学・機械研磨スラリー。

IPC (4件)：

B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウェーハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012869   出願人：日産化学工業株式会社
• 特開平1-205973