特許

J-GLOBAL ID：200903074215756822

半導体集積回路の製造方法

発明者： ウィリアム グラハム イースター ,  ジョン アルバート メイズ,サード ,  ヨウ サミュエル オベイン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150434
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 平面状の半導体構造を生成する化学機械研磨方法および装置を提供すること。【解決手段】 本発明の方法と装置は、半導体ウェハの半径方向の温度変動に起因して研磨動作における非均一性をウェハの温度を局部的に制御することにより保証する。加熱/冷却は、ウェハのヘッド内にある温度制御コイルを搭載することにより実行している。

請求項（抜粋）：

(a) 平面上の半導体ウェハ上の少なくとも1つの層を形成することにより半導体基板を生成するステップと、(b) 前記半導体基板上にある材料層を堆積するステップと、前記材料層は、上部表面と底部表面と厚さTを有し、前記材料層の底部表面は、前記半導体ウェハの表面から測定した高さh1の高領域と、高さh2の低領域を有し、そこでh1>h2+T/4の関係があり、(c) 化学機械研磨により前記高領域内の前記層の少なくとも一部を除去するステップと、(d) 前記ステップ(c)の間、前記ウェハの温度を制御するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 J ,  H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-270654   出願人：株式会社東芝