特許

J-GLOBAL ID：200903074218659283

多結晶薄膜の形成方法

発明者： 前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066132
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】多結晶薄膜の形成方法に関し、簡便でしかも確実に結晶性の良い膜を得ることを目的とする。【構成】下地11の表面に結晶性微粒子12を一定の分布密度で付着させる工程と、前記結晶性微粒子が付着された前記下地の上に半導体含有ガスを供給し、該半導体含有ガスを500°C又はそれ以下の温度下で熱分解又はプラズマ分解させ、前記結晶性微粒子を結晶核にして前記下地の上に半導体膜13を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

下地の表面に結晶性微粒子を一定の分布密度で付着させる工程と、前記結晶性微粒子が付着された前記下地の上に半導体含有ガスを供給し、該半導体含有ガスを500°C又はそれ以下の温度下で熱分解又はプラズマ分解させ、前記結晶性微粒子を結晶核にして前記下地の上に半導体膜を形成する工程とを有することを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-336502   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-163914
  
• 特開平3-060026