特許
J-GLOBAL ID：200903074222866250
露光用マスクパターンの補正方法、プログラム、マスクパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370365
公開番号（公開出願番号）：特開2003-167323
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 露光用マスクパターンの光近接効果の補正処理において、高精度な補正形状を高速に得ることが可能な露光用マスクパターンの補正方法等を提供する。【解決手段】 第一の補正精度でマスクパターンの補正形状を求める第一の補正手段と、前記第一の補正精度よりも厳密な第二の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを用意し、前記第一の補正手段により前記第一の補正精度の第一の補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値として前記第二の補正手段により前記第二の補正精度の第二の補正形状を求め、この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形状とする。
請求項（抜粋）：
半導体露光装置を用いて半導体基板上にマスクパターンの投影像を転写する際に生ずる光近接効果を補正するために、転写形状予測モデルに基づく補正手段により前記マスクパターンの形状に補正を施す露光用マスクパターンの補正方法において、第一の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求める第一の補正手段と、前記第一の補正精度よりも厳密な第二の補正精度で前記マスクパターンの補正形状を求める第二の補正手段とを前記補正手段として用意し、前記第一の補正手段により前記第一の補正精度の第一の補正形状を求めた後、該第一の補正形状を初期値として前記第二の補正手段により前記第二の補正精度の第二の補正形状を求め、この第二の補正形状を前記マスクパターンの最終形状とすることを特徴とする露光用マスクパターンの補正方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
