特許
J-GLOBAL ID：200903017245750876
混合モード光近接効果補正のための方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-563954
公開番号（公開出願番号）：特表2003-525470
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2003年08月26日
要約：
【要約】本発明は、半導体レイアウト試験及び補正システムを開示する。システムは、ルールベースド光近接効果補正(OPC)及びモデルベースドOPCの両者を組み合わせて半導体レイアウトを試験並びに補正する。第1の実施例では、半導体レイアウトを先ずルールベースドOPCシステムで処理し、続いてモデルベースドOPCシステムで処理する。別の実施例では、システムは先ず半導体レイアウトをルールベースドOPCシステムで処理し、次に扱いづらい形体はモデルベースドOPCシステムを用いて選択的に処理する。更に別の実施例では、システムはルールベースドOPCシステムまたはモデルベースドOPCシステムを用いて半導体レイアウトの種々の形体を選択的に処理する。
請求項（抜粋）：
半導体マスクを作成する方法であって、 半導体デザインを認容する過程と、 1組の光近接効果補正(OPC)ルールにより前記半導体デザインを処理し、ルール補正された半導体デザインを生成する過程と、 前記ルール補正された半導体デザインを光学モデルによってモデリングし、モデルド半導体マスクを生成する過程と、 前記補正された半導体デザインを調整し、前記モデルド半導体マスクを補正する過程とを含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
