特許

J-GLOBAL ID：200903074237160290

n型カーボン半導体膜およびそれを用いた半導体素子

発明者： 原 亨和
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  田崎 豪治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-056652
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273970
出願日： 2007年03月07日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】低コストでn型カーボン半導体を作成し、それを用いて高性能、かつ大面積としうる半導体素子および太陽電池を提供する。【解決手段】主に炭素六員環の集合体からなり、ラマン分光法によるスペクトルにおいて、1300cm-1付近のDバンドと1600cm-1付近のGバンドの積分強度比I(D)/I(G)が0.3〜3.0であり、かつX線光電子分光法による窒素もしくはイオウと炭素との元素比(Nおよび/またはS)/Cが0.01〜0.40であるn型カーボン半導体膜。このようなn型カーボン半導体膜は、窒素および/またはイオウを含む有機化合物を、液相状態もしくは常圧下気相状態で基板上に接触させた後、200°C〜900°Cで加熱処理することによって得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主に炭素六員環の集合体からなり、ラマン分光法によるスペクトルにおいて、1300cm-1付近のDバンドと1600cm-1付近のGバンドの積分強度比I(D)/I(G)が0.3〜3.0であり、かつX線光電子分光法による窒素および/またはイオウと炭素との元素比(Nおよび/またはS)/Cが0.01〜0.40であるn型カーボン半導体膜。

IPC (4件)：

H01L 51/42 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (4件)：

H01L31/04 D ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250Z ,  H01L29/28 310Z

Fターム (8件)：

5F051AA11 ,  5F051BA12 ,  5F051CB13 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第2980546号公報
  

審査官引用 (1件)

• 特許第2980546号