特許

J-GLOBAL ID：200903074258960369

酸化物イオン混合伝導体とその用途

発明者： 石原 達己 ,  滝田 祐作
出願人/特許権者： 滝田 祐作 ,  石原 達己 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237621
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335165
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】 広い温度範囲にわたって、イオン輸率が0.5 前後の望ましい電子-酸化物イオン混合伝導性を示し、電気伝導率が非常に高くかつその温度変化が小さい、従来にない優れた性能を持つ酸化物イオン混合伝導体を実現する。【解決手段】 一般式:A1-x Cax Ga1-y By O3 で示される組成を持つペロブスカイト型酸化物イオン混合伝導体 (式中、A=Nd、Pr、Sm;B=Co、Fe、Ni、Cu;x=0.05〜0.3 、y=0.05〜0.3)。

請求項（抜粋）：

一般式:A1-x Cax Ga1-y By O3 で示される組成を持つペロブスカイト型酸化物イオン混合伝導体。式中、Aは3価イオンの8配位イオン半径が1.05〜1.15Åの1種もしくは2種以上のランタノイド金属であり、BはCo、Fe、Ni、Cuの1種もしくは2種以上であり、xは0.05〜0.3 、yは0.05〜0.3 である。

IPC (5件)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/50 ,  H01B 1/06 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/02

FI (5件)：

C04B 35/00 J ,  C04B 35/50 ,  H01B 1/06 A ,  H01M 4/86 T ,  H01M 8/02 B

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Doped LaGaO3 Perovskite Type Oxide as a New Oxide Ionic Conductor

審査官引用 (3件)

• Doped LaGaO3 Perovskite Type Oxide as a New Oxide Ionic Conductor
• Doped LaGaO3 Perovskite Type Oxide as a New Oxide Ionic Conductor
• 化学大辞典1, 19791110, 縮刷版第23刷, 561、562