薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武田元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242959
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106583
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタの製造工程短縮および半導体層の表面暴露の低減を図る。【構成】薄膜トランジスタの上部絶縁膜と半導体膜を1回のフォトリソグラフ工程でパターニングする。エッチングはドライエッチング1条件で可能である。

請求項（抜粋）：

ゲート電極,ゲート絶縁膜,半導体膜および保護膜としての上部絶縁膜を有する薄膜トランジスタの前記上部絶縁膜と半導体膜を1回のフォトリソグラフ工程でパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23F 1/00 102 , C23F 4/00 , C30B 29/06 , C30B 33/08 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

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