特許
J-GLOBAL ID：200903074285980266
X線露光マスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001961
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198023
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 0.2μm以下の微細なパターンを形成するのに十分な薄い、例えば50nm以下の膜厚においてもエッチングマスクの応力を充分低く抑え、好ましくは応力のほとんどないエッチングマスクを用いて、高精度のパターン転写用X線露光マスクを提供する。【解決手段】 X線露光マスクの製造において、ハードマスクを成膜する際、スパッタターゲットをCrとしアルゴンガスに少なくとも10%の窒素を混合して4〜25mTorrの圧力範囲で成膜する。
請求項（抜粋）：
少なくともX線吸収体のエッチングのためのハードマスクの形成工程を含むX線露光マスクの製造方法において、該ハードマスクとして、スパッタターゲットにCrを用い、スパッタガスに少なくとも10%の窒素を混合したアルゴンガスを用いて4〜25mTorrの圧力範囲にてスパッタ法により成膜したCrN膜を用いることを特徴とするX線露光マスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/16 A
, H01L 21/30 531 M
