特許
J-GLOBAL ID：200903074287839099
半導体記憶装置、内部電源電圧発生回路、内部高電圧発生回路、中間電圧発生回路、定電流源、および基準電圧発生回路
出願人/特許権者：
三菱電機株式会社
三菱電機株式会社 について
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165614
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031171
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 低消費電力で安定に動作する半導体記憶装置を提供する。【構成】 この半導体記憶装置は、内部電源電圧を降圧して第1および第2の内部電源電圧を生成する内部電源電圧発生回路4と、外部電源電圧からチャージポンプ動作により高電圧を生成するVpp発生回路5、および外部電源電圧からチャージポンプ動作により負電圧を発生するVbb発生回路3を備える。第1の内部電源電圧は制御回路7へおよびセンスアンプ駆動信号発生回路6へ与えられる。第2の内部電源電圧はビット線イコライズ/プリチャージ信号を発生する回路9に与えられる。第1の内部電源電圧が小さくされてもVpp発生回路5およびVbb発生回路3は、外部電源電圧から所定の電圧を発生するため、効率的にかつ安定に所定の内部高電圧および負電圧を生成する。またビット線イコライズ/プリチャージ信号は第1の内部電源電圧よりも電圧レベルが高く、高速でビット線のイコライズ/プリチャージを行なうことができる。
請求項（抜粋）：
外部から与えられる外部電源電圧を降圧して内部電源電圧を生成する内部電源回路と、チャージポンプ動作により、前記外部電源電圧から前記内部電源電圧と電圧レベルが異なる所定の電圧レベルの内部電圧を発生する内部電圧発生手段とを備える、半導体記憶装置。
IPC (6件)：
FI (3件)：
引用特許：
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