特許

J-GLOBAL ID：200903074293265630

プラズマ源及びプラズマ処理装置並びにプラズマ成膜 装置

発明者： 樋口 公博 ,  輿水 地塩
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060133
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245271
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 高密度かつ広い領域で均一なプラズマを生成させて、被処理体に対して高い面内均一性で例えばプラズマ成膜処理等のプラズマ処理を行うこと。【構成】 チャンバの天壁部に凸部を形成し、この凸部の中に平面状のコイルを設け、このコイルに高周波電流を流すと、コイルの中心部を縦方向に通って閉ループを形成する交番磁界が発生する。この交番磁界によってチャンバ内ではコイルの直下領域と側部周辺領域において交番電界が誘起され、当該領域は共に真空雰囲気であるから、交番電界により加速された電子が処理ガスの中性粒子に衝突してガスが電離しプラズマが生成する。この結果チャンバ内では高密度で広い領域に亘って均一なプラズマが生成するので、例えばプラズマ成膜処理を行う際には被処理体に対して高い面内均一性をもって膜が形成される。

請求項（抜粋）：

気密なチャンバに配置された誘導手段に高周波電圧を印加して前記チャンバ内に高周波電磁場を形成し、これによりチャンバ内のガスをプラズマ化するプラズマ源において、前記チャンバの壁面より前記チャンバ内へ突出する凸部を形成し、この凸部に前記誘導手段を設けたことを特徴とするプラズマ源。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-296600
  
• 特開平2-235332
  
• プラズマ発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-159369   出願人：国際電気株式会社