性能強化構造を備えるイメージセンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209239
出願日： 2003年01月06日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】クロストークが低く、光の吸収度が高いCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】画素接触パッド113の上方を光センサ層の内部に延びる不活性化壁210を含み、これらの画素接触パッド113どうしが絶縁されてクロストークを低減するイメージセンサが開示される。1実施形態では、負のバイアスを印加されてクロストークを防ぐとともに、任意に接触パッドの下部にまで延び、画素の容量を高める金属構造が、隣接する画素を分離する界面領域の下部に設けられている。1実施形態では、下部アモルファスシリコンフォトダイオード層にp型ドーパントが含まれず、さらなるフォトダイオード材料が開示されている。

請求項（抜粋）：

イメージセンサアレイであって、行及び列に配置され、それぞれが接触パッドと該接触パッドに接続された画素回路とを含む複数の画素と、上端部を有する不活性化壁により各溝を取り囲むように複数の溝が形成された不活性化層であって、各画素の接触パッドが該接触パッドの上部面が前記不活性化壁の上端部より下方に位置するように対応する溝に設けられた、不活性化層と、前記不活性化層の上に形成され、前記溝内に延びる下方部分を有し、各下方部分が対応する画素の接触パッドの上部面に接するセンサ層と、を含む、イメージセンサアレイ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 27/14 E

Fターム (20件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA14 , 4M118CA19 , 4M118CB06 , 4M118FA06 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118GC07 , 4M118GD03 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024CX03 , 5C024EX25 , 5C024GX01 , 5C024GY31

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第5,619,033号

審査官引用 (5件)

特開昭61-206257
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-188301 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-030577

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