特許

J-GLOBAL ID：200903074302722373

MOS型容量素子、液晶表示装置、半導体集積回路装置、およびその製造方法

発明者： 張 宏勇
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311249
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138346
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス駆動される液晶表示装置等で使われるMOS型容量素子を、別に容量素子のための駆動電源を設ける必要のない構造に、MOSトランジスタの製造工程に整合する工程により、安価に、しかも歩留まり良く製造する。【解決手段】 半導体膜上に、間にキャパシタ絶縁膜を挟んでキャパシタ電極を形成し、前記半導体膜中に、前記キャパシタ電極に隣接してp+ 型の拡散領域とn+ 型の拡散領域とを形成し、これらを相互接続して相補接続構成とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、前記半導体層中、前記電極に隣接して形成された第1の拡散領域と、前記半導体層中、前記電極に隣接して形成された第2の拡散領域とよりなり、前記第1の拡散領域は第1の導電型に、また前記第2の拡散領域は第2の、逆導電型にドープされていることを特徴とするMOS型容量素子。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 N

Fターム (22件)：

5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK25 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-137255
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095718   出願人：日本電気株式会社