特許

J-GLOBAL ID：200903074327237151

電界効果トランジスタ

発明者： 宮本 広信 ,  安藤 裕二 ,  井上 隆 ,  中山 達峰 ,  岡本 康宏 ,  分島 彰男 ,  大田 一樹 ,  村瀬 康裕 ,  山之口 勝己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-053889
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218696
出願日： 2007年03月05日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】電流コラプスが低く、かつゲートリーク電流が低い高出力窒化物半導体トランジスタを提供。【解決手段】基板1上に、緩衝層2、GaNチャネル層3、AlGaN電子供給層4が形成され、AlGaN電子供給層4の表面にソース電極5、ドレイン電極6およびゲート電極7が形成されたトランジスタにおいて、露出しているAlGaN電子供給層4の表面は、フッ素を含むフッ素含有絶縁膜8、例えば、フッ素含有SiN膜により被われる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

窒化物半導体に接してソース電極、ドレイン電極およびゲート電極が形成されている電界効果トランジスタにおいて、窒化物半導体の結晶表面上にフッ素を含有する絶縁膜を備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L21/318 M

Fターム (31件)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF34 ,  5F058BJ03 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-098599   出願人：ユーディナデバイス株式会社

審査官引用 (1件)

• 注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-335975   出願人：クリーインコーポレイテッド