半導体レーザ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135097
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072072
出願日： 2003年05月13日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】長時間の連続発振による半導体レーザ素子の劣化に関係なく安定したAPC駆動が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明のレーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の出射端面からの出射光を透過させる窓ガラスと、前記出射光の一部であり透過されず当該窓ガラスで反射された反射光を検出する受光素子と、前記半導体レーザ素子と受光素子が設置されたステムと、を少なくとも有する半導体レーザ装置であって、前記窓ガラスは、前記半導体レーザ素子の鉛直上方に設けられ、前記受光素子は水平より傾斜して、ステムの主面に接して設けられていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子からの出射光を透過させる窓ガラスと前記出射光の一部であり透過されず当該窓ガラスで反射された反射光を検出する受光素子とを有する半導体レーザ装置であって、前記受光素子は水平より傾斜して設置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S5/022 , G11B7/125 , G11B7/135 , H01L31/12

FI (4件)：

H01S5/022 , G11B7/125 C , G11B7/135 Z , H01L31/12 H

Fターム (15件)：

5D789AA20 , 5D789BA01 , 5D789FA05 , 5D789FA23 , 5D789FA29 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073EA15 , 5F073EA20 , 5F073FA02 , 5F089AB01 , 5F089AB03 , 5F089CA03 , 5F089CA15 , 5F089DA08

引用特許：

出願人引用 (8件)

一体化レーザ・ベース光源
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011035 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
光電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-213350 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
特開昭60-088486

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審査官引用 (6件)

一体化レーザ・ベース光源
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011035 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
光電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-213350 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
特開昭60-088486

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