力率改善回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：牛木護
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-314083
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】整流ダイオードがオープンになった場合でも、スイッチング素子を確実に保護できる力率改善回路を提供する。【解決手段】整流ダイオード8がオープンになると、平滑コンデンサ9の両端間に発生する出力電圧Viが低下する。このとき制御部11は、MOS型FET7へのパルス導通幅を最大にまで広げようとし、MOS型FET7の両端間に発生する電圧が通常の電圧変動範囲を超えて上昇する。しかし、MOS型FET7に発生する電圧が第1の異常レベルに達すると、保護回路21により補助電源12から制御部11への電圧供給が遮断される。したがって、整流ダイオード8がオープンになった場合でも、MOS型FET7を確実に保護できる。

請求項（抜粋）：

交流電源電圧を整流する整流部と、この整流部の両端間にインダクタンス素子とスイッチング素子との直列回路を接続し、前記スイッチング素子の両端間に整流ダイオードと平滑コンデンサとの直列回路を接続してなる昇圧チョッパ回路と、補助電源からの電圧供給により動作し、前記平滑コンデンサの両端間に発生する出力電圧に基づき前記スイッチング素子のパルス導通幅を制御する制御部とにより構成され、前記スイッチング素子のスイッチングにより、前記インダクタンス素子を介して取り込まれる電流波形を前記交流電源電圧波形に近付ける力率改善回路において、前記スイッチング素子の両端間に発生する電圧が第1の異常レベルに達したら、前記補助電源から前記制御部への電圧供給を遮断する保護回路を備えたことを特徴とする力率改善回路。

IPC (4件)：

H02M 7/12 , H02H 7/12 , H02J 3/18 , H02M 3/155

FI (6件)：

H02M 7/12 P , H02M 7/12 H , H02H 7/12 H , H02J 3/18 D , H02M 3/155 C , H02M 3/155 H

Fターム (44件)：

5G053AA07 , 5G053BA04 , 5G053CA02 , 5G053DA02 , 5G053EB03 , 5G053EB05 , 5G053EC03 , 5G053FA03 , 5G066FA02 , 5G066FB15 , 5G066FC06 , 5H006AA02 , 5H006AA04 , 5H006AA05 , 5H006CA02 , 5H006CA07 , 5H006CA12 , 5H006CA13 , 5H006CB01 , 5H006CB03 , 5H006CC02 , 5H006DA04 , 5H006DB01 , 5H006DC02 , 5H006DC05 , 5H006FA01 , 5H006GA04 , 5H730AA18 , 5H730AA20 , 5H730AS01 , 5H730BB14 , 5H730BB57 , 5H730CC01 , 5H730DD04 , 5H730DD26 , 5H730DD32 , 5H730FD01 , 5H730FD26 , 5H730FG01 , 5H730XX04 , 5H730XX12 , 5H730XX26 , 5H730XX32 , 5H730XX44

引用特許：

審査官引用 (5件)

インバータ装置を備えた空気調和機
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319675 出願人：シャープ株式会社
特開昭61-142925
電源保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-018061 出願人：古河電気工業株式会社

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