特許
J-GLOBAL ID：200903074376699098
半導体光増幅器アレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363035
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188444
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 各半導体光増幅器のオン/オフ消光比を大きくとることができ、クロストーク特性に優れた半導体光増幅器アレイを提供する。【解決手段】 上部第2クラッド層5の側面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜7で覆われている場合には、ポリマ膜7に光吸収剤が分散あるいは充填されるので、各半導体光増幅器Ch1〜Ch4の入射端に接続される光ファイバからの信号光がポリマ膜7中を伝搬し、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。吸収剤を含まないポリマ膜7の上に金属膜16-1〜16-5を形成する場合には、入射端に接続される光ファイバからの信号光が金属膜16-1〜16-5で吸収され、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。上部第2クラッド層5が積層体の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高消光比特性が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、スラブ状の下部クラッド層、活性層及び上部第1クラッド層が順次形成され、該上部第1クラッド層の上に略矩形断面形状の上部第2クラッド層が少なくとも2本並列に形成され、該上部第2クラッド層の側面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜で覆われ、上記上部第2クラッド層の上にコンタクト層を介して上部電極が形成され、上記半導体基板裏面に下部電極が形成されると共に、上記上部電極と上記下部電極との間に電流が注入されるようにした積層体からなる光増幅器の両端面に無反射コーティング層が形成され、該積層体の一方の端面の上記上部第2クラッド層の真下の活性層内に信号光がそれぞれ入射され、上記活性層で増幅された信号光を上記積層体の他方の端面から出射させるようにしたことを特徴とする半導体光増幅器アレイ。
Fターム (6件)：
5F073AB02
, 5F073AB22
, 5F073AB25
, 5F073AB28
, 5F073AB30
, 5F073EA27
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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