特許

J-GLOBAL ID：200903077011658340

半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置

発明者： 廣野 卓夫 ,  小林 秀紀 ,  浅井 裕充
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145313
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326533
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】数十GHzの光信号に適した高速動作の半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置を提供する。【解決手段】エネルギーの底が低い順に第1から第3サブバンドとすると、半導体導波路25等の半導体光増幅器の活性層を、伝導帯に3つ以上のサブバンドを有し且つ第1サブバンドの一部が電子で満たされた非対称多重量子井戸層8で構成し、第1サブバンドと第2サブバンドとのエネルギーの底の差と非対称多重量子井戸層8の光学フォノンのエネルギーを等しくして信号光を増幅する。また、この半導体光増幅器をゲートとして半導体光スイッチを構成する。更に、これら半導体光増幅器或いは半導体光スイッチとそれの励起手段とで半導体光増幅装置或いは半導体光スイッチ装置を構成し、第3サブバンドと第1サブバンドとのエネルギーの底の差に等しいエネルギーを有し且つパルス幅が第3サブバンドから第2サブバンドへの電子の非輻射緩和時間より短い光パルスで、非対称多重量子井戸層8を励起する。

請求項（抜粋）：

伝導帯の電子に対するポテンシャルが量子井戸及び障壁の積層方向において対称となる対称点を有せず、伝導帯に3つ以上のサブバンドを有し、エネルギーの底が最も低い第1サブバンドの一部が電子で満たされた量子井戸を、活性層とする半導体光増幅器。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/103

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/103

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光制御型半導体光スイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248451   出願人：株式会社東芝
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042367   出願人：株式会社東芝