特許
J-GLOBAL ID：200903074393519940
プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-340800
公開番号（公開出願番号）：特開平8-175528
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【目的】 プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の高ガス遮断性被膜を形成する方法を提供する。【構成】 珪素酸化物薄膜の製膜温度よりT.g.が高いプラスチックス材料からなる立体形状の容器の被膜を形成しない表面側に容器の被膜を形成する表面と電極表面との距離が10mm以下でほぼ一定である高周波電極を配置し、被膜を形成する表面側に容器の表面と電極表面との距離が高周波電極と被膜を形成する容器表面との距離より大きくほぼ一定であるアース電極を設置し、CVD法により生成した珪素酸化物のプラズマを容器とアース電極の間に導入して放電ガス圧0.0005〜0.05torrで容器のアース電極と対向した表面に珪素酸化物薄膜を均一の膜厚に付着させることを特徴とするプラスチックス材料からなる立体形状の容器にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法である。
請求項（抜粋）：
珪素酸化物薄膜の製膜温度よりT.g.が高いプラスチックス材料からなる立体形状の容器の被膜を形成しない表面側に容器の被膜を形成する表面と電極表面との距離が10mm以下でほぼ一定である高周波電極を配置し、被膜を形成する表面側に容器の表面と電極表面との距離が高周波電極と被膜を形成する容器表面との距離より大きくほぼ一定であるアース電極を設置し、CVD法により生成した珪素酸化物のプラズマを容器とアース電極の間に導入して放電ガス圧0.0005〜0.05torrで容器のアース電極と対向した表面に珪素酸化物薄膜を均一の膜厚に付着させることを特徴とするプラスチックス材料からなる立体形状の容器にガス遮断性に優れた珪素酸化物薄膜を被覆する方法。
IPC (5件)：
B65D 1/09
, B32B 9/00
, C23C 16/40
, C23C 16/42
, C23C 16/50
