特許

J-GLOBAL ID：200903074406523720

高融点金属窒化膜の形成方法

発明者： ゾン・ス・ビヨン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085908
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264529
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は誘電体電極に適する優れた電気伝導度と拡散バリヤ特性を有する高融点金属窒化膜を形成する方法を提供する。【構成】 本発明の高融点金属窒化膜の形成方法は、ArとN2 の混合気体雰囲気中で、且つ混合ガスの体積に対するN2 の体積比率が20%を超えない条件下で窒素が含有されている高融点金属膜をシリコン基板上に蒸着するステップと、高融点金属膜をN2 又はNH3 の雰囲気で熱処理して高融点金属窒化膜を形成するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

ArとN2 の混合気体雰囲気中で、且つ混合ガスの体積に対するN2 の体積比率が20%を超えない条件下で窒素が含有されている高融点金属膜をシリコン基板上に堆積するステップと、高融点金属膜を熱処理して高融点金属窒化膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする高融点金属窒化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/38 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-077316
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032741   出願人：三菱電機株式会社