特許

J-GLOBAL ID：200903074429504154

半導体装置およびその作製方法

発明者： 田中 信洋 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331068
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 静電気対策を施して半導体装置の製造歩留りを向上させる。【解決手段】 ガラス基板101上に半導体装置を作製する際に、作製工程の初期段階でガラス基板の下面側に導電性を有する薄膜105(例えば、導電性を付与した珪素膜等)を形成する。この導電性を有する薄膜の静電シールドとしての機能によりガラス基板が直接的に帯電することがなくなり、ガラス基板の帯電に伴うデバイス素子の静電破壊を未然に防ぐことが可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁性を有する基板上に半導体装置を作製する方法において、前記基板の下面に導電性を有する薄膜を形成する工程を少なくとも有し、前記導電性を有する薄膜を静電シールドとして機能せしめることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 623 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 618 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-273647
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-083519   出願人：松下電子工業株式会社