半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083519
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295925
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】アクテイブマトリックス方式の画像表示装置用半導体装置の製造方法において、注入イオンの分布状態等の膜特性を向上させる。【構成】絶縁体基板1の表面にトランジスタ用半導体膜2、ゲート絶縁膜3を順次形成し、基板の表面及び裏面に、それぞれ導通用半導体膜4a,4bを形成した後、不純物イオンを注入して導電性を与え、裏面の導通用半導体膜4bを電位安定用膜とする。ゲート絶縁膜3の上の導通用半導体膜4bからゲート電極5を形成した後、トランジスタ用半導体膜2内にソース,ドレイン領域6を形成して薄膜トランジスタを形成し、さらに、層間絶縁膜7、金属配線8、パッシベーション膜9を順次形成する。これにより、絶縁体基板1の裏面の電位安定用膜4bと装置の電極との間の導通を確保し、電位の安定化によって、注入イオンの分布状態,プラズマプロセスにより形成される膜の成長状態等を均一にする。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板上に薄膜トランジスタと配線層とを設けてなる半導体装置の製造方法であって、上記絶縁体基板の裏面に導電性材料からなる電位安定用膜を形成する工程と、上記絶縁体基板の表面に、トランジスタ用半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を順次形成したのち、不純物イオンを注入してソース、ドレインを形成して薄膜トランジスタを形成する工程と、上記絶縁体基板及び薄膜トランジスタ上に、層間絶縁膜,金属配線,絶縁膜等からなる配線層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236029 出願人：シヤープ株式会社
特開平3-273647

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