特許
J-GLOBAL ID：200903074480894811
炭化けい素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036470
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】SiCのイオン注入後の活性化のための高温アニールにおいて、高温アニールによる面荒れの発生を防止し、MOS半導体素子に適する良質な酸化膜形成のできる表面とする。【解決手段】高温アニールの前に、予備熱処理として水素または水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で800〜1200°Cに5分間以上加熱する。微量の塩酸ガスを加えても良い。
請求項（抜粋）：
炭化けい素への不純物イオン注入後に、水素雰囲気または水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で加熱する予備熱処理をおこなうことを特徴とする炭化けい素半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 602 A
, H01L 21/265 Z
