半導体装置とその半導体基板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174735
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012509
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半導体装置とその半導体基板の製造方法の提供。【解決手段】シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めイオンを注入しておき、水素雰囲気における加熱処理にてイオンが注入された所要部分を除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド半導体基板をエッチング加工する半導体基板の製造方法において、エッチングにより除去されるシリコンカーバイドの所要部分に予めイオンを注入しておき、水素雰囲気における加熱処理にてイオンが注入された所要部分を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/265 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/302 P , H01L 21/265 W , H01L 21/302 J

Fターム (6件)：

5F004AA05 , 5F004AA11 , 5F004BA00 , 5F004DB12 , 5F004EA04 , 5F004EA40

引用特許：

審査官引用 (6件)

SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210321 出願人：富士電機株式会社
特開平4-293234
SiCのパターンエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-355043 出願人：科学技術庁長官

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