特許

J-GLOBAL ID：200903074488761748

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 武田 隆信 ,  渡邊 修
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-195740
公開番号（公開出願番号）：特開2004-045448
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(R1及びR2は水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R3はメチル基、又はエチル基を表す。R4、R5はアルキル基を表し、R4、R5が結合して環構造となってもよい。)【効果】本発明は、保存安定性が良好で実用性が高く、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストも大幅に高く、高感度で、広いベーク温度領域においても高解像性を実現したレジスト材料を与えることが可能である。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (4件)：

G03F7/039 ,  C08F20/26 ,  C08F212/04 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  C08F20/26 ,  C08F212/04 ,  H01L21/30 502R

Fターム (31件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 感放射線性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-228833   出願人：ジェイエスアール株式会社

審査官引用 (1件)

• 感放射線性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-228833   出願人：ジェイエスアール株式会社