特許

J-GLOBAL ID：200903074506298546

半導体装置

発明者： 山根 康朗 ,  山▲崎▼ 王義 ,  徳光 雅美 ,  小野寺 清光 ,  日向 文明 ,  入戸野 巧 ,  渡辺 和夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075445
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270464
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】優れた高耐圧性をもち、高周波領域で性能の高いFET構造の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】活性層7と障壁層6と基板層8とで構成される半導体基板上に、ソース電極11とドレイン電極12と制御電極1とを有し、制御電極1に対し対称または非対称に配設されている第1のイオン注入層4、5と、制御電極1に対して非対称でかつ第1のイオン注入層4、5よりも制御電極1により近接した領域まで伸延して配設されている、第1のイオン注入層4、5よりも浅くかつシート抵抗値の高い第2のイオン注入層2、3とを有するFET構造の半導体装置において、制御電極1に対して対称でかつ第2のイオン注入層2、3よりも制御電極1により近接した領域まで伸延して配設されている、第2のイオン注入層2、3よりも浅くかつシート抵抗値の高い第3のイオン注入層14、15を設ける。

請求項（抜粋）：

活性層と障壁層と基板層とで構成される半導体基板上に、ソース電極とドレイン電極と制御電極とを有し、上記制御電極に対し対称または非対称に配設されている第1のイオン注入層と、上記制御電極に対して非対称でかつ上記第1のイオン注入層よりも上記制御電極により近接した領域まで伸延して配設されている、上記第1のイオン注入層よりも浅くかつシート抵抗値の高い第2のイオン注入層とを有するFET構造の半導体装置において、上記制御電極に対して対称でかつ上記第2のイオン注入層よりも上記制御電極により近接した領域まで伸延して配設されている、上記第2のイオン注入層よりも浅くかつシート抵抗値の高い第3のイオン注入層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-074011   出願人：三菱電機株式会社