特許
J-GLOBAL ID：200903074519604026
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152290
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131018
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタオフ時の漏洩電流のばらつきが少ない特性の良い薄膜トランジスタを提供すること。【構成】 Si酸化膜3、Si窒化膜4及びSi酸化膜5でゲート電極を構成する。すると、最上層のSi酸化膜3の一部を除去する際に、エッチャントを選択するだけで、エッチング条件の異なるSi窒化膜4がストッパとなって、所望の層のみを除去することができる。従って、イオン注入を行う際、不純物拡散領域を形成する前の素子の各部分の膜厚が、素子ごとに均一となって、安定した不純物プロファイルのLDD構造トランジスタを得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上に形成された半導体膜と、この半導体膜の上に、2層以上の積層膜であって、少なくとも2層がエッチング条件の異なる材質で構成され且つ少なくとも最下層の膜の領域が上層の膜の領域よりも大きくなるよう形成されたゲート絶縁膜と、このゲ-ト絶縁膜の上に形成され、ゲ-ト絶縁膜よりも領域の小さいゲ-ト電極と、前記半導体膜における前記ゲ-ト電極の両側に形成され、ソ-ス及びドレインとなるLDD(Lightly Doped Drain)構造の不純物拡散領域とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
