特許
J-GLOBAL ID：200903074541450296

高温度熱電変換素子

発明者：
野崎 紀男

野崎 紀男 について

, 
石沢 真樹

石沢 真樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262011
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091650
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、熱電変換素子への供給温度が300〜800°Cの高温度熱源供給時でも優れた安定出力や耐久性等を有する高温度熱電変換素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る高温度熱電変換素子は、複数のp型及びn型熱電変換半導体を交互に離間して設け、隣り合うp型とn型の熱電変換半導体の上面を電気的に接続する第一の電極と、その下面を電気的に接続する第二の電極とを交互に備え、前記複数のp型とn型の熱電変換半導体を直列に接続して、各熱電変換半導体は、前記第一の電極を介して第一の絶縁部材、冷却側基板を順に、前記第二の電極を介して第二の絶縁部材、加熱側基板を順に、各々接触させて配置して構成され、更に、前記冷却側基板を冷却板に、前記加熱側基板を加熱板に接触させることにより電気出力を得る高温度熱電変換素子において、前記第一の絶縁部材を前記第一の電極が可動となるような材料としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のp型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体とを交互に離間して設け、隣り合うp型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体の上面を電気的に接続する第一の電極と、隣り合うp型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体の下面を電気的に接続する第二の電極とを交互に備えることによって、前記複数のp型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体を直列に接続するとともに、前記第一の電極が前記複数のp型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体に接触している側と反対の側には、第一の絶縁部材、冷却側基板を順に接触させて設け、前記第二の電極が前記複数のp型熱電変換半導体とn型熱電変換半導体に接触している側と反対の側には、第二の絶縁部材、加熱側基板を順に接触させて配置して構成され、更に、前記冷却側基板を冷却板に、前記加熱側基板を加熱板に接触させることにより電気出力を得る高温度熱電変換素子において、前記第一の絶縁部材は前記第一の電極が可動となるような材料であることを特徴とする高温度熱電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 35/32 ,  H01L 35/30
FI (2件)：
H01L 35/32 A ,  H01L 35/30
引用特許：
審査官引用 (4件)
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