液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-279146
公開番号（公開出願番号）：特開2008-096743
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】浸漬露光時の物質溶出を抑制でき、リソグラフィー特性にも優れた液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)および酸増殖剤成分(G)を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物、並びに、当該液浸露光用ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)および酸増殖剤成分(G)を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/004 , H01L 21/027 , G03F 7/039

FI (3件)：

G03F7/004 503A , H01L21/30 502R , G03F7/039 601

Fターム (13件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025FA03 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320105 出願人：富士通株式会社

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